1 月 31 日上午消息，固態技術協會（JEDEC）發佈瞭 Universal Flash Storage ( UFS&UFSHCI，通用閃存存儲 ) v3.0 標準（JESD220D、JESD223D），和 UFS 存儲卡 v1.1 標準（JESD220-2A）。
簡單來說，UFS 3.0 引入瞭 HS-G4 規范，單通道帶寬提升到 11.6Gbps，是 HS-G3（UFS 2.1）性能的 2 倍。
由於 UFS 的最大優勢就是雙通道雙向讀寫，所以接口帶寬最高 23.2Gbps，也就是 2.9GB/s。
互聯層設計方面，嚴格遵守 MIPI（ ( 移動產業處理器接口）的規范協議，其中物理層依據 MIPI M-PHY v4.1，傳輸層依據 MIPI UniProSM v1.8。
其它方面，UFS 3.0 支持的分區增多（UFS 2.1 是 8 個），糾錯性能提升，電壓 2.5V，支持最新的 NANG Flash 閃存介質。面向工業領域如汽車自動駕駛，工作溫度零下 40 攝氏度到高溫 105 攝氏度。
至於 UFSHCI v3.0 規范這面向主控廠商參考，用於簡化通行設計。
至於 UFS 存儲卡 v1.1，則實現瞭對 HS-Gear1/2/3 的全部兼容，這樣存儲速度就達到最高 1.5GB/s。
另外，三星已經宣佈，將在 2018 年第一季首發推出 UFS 3.0 接口的產品。由於驍龍 845、Exynos 9810 等尚無證據支持 UFS 3.0 接口，所以是否對應 Galaxy S9 終端或者僅僅是主控、閃存這類零部件，暫不得而知。
