近段時間以來，DIY 市場振動不斷，從顯卡到內存，從硬盤到 CPU，各條產品線在價格上都出現瞭較大波動。從暑假期間的 " 挖礦 " 引發顯卡價格瘋長，到如今英特爾全新八代 CPU 發售引發的 CPU 全行業缺貨，無一不讓普通 DIY 用戶苦惱，為何每當要裝機時，各種硬件都在漲價呢？
當然除瞭這些偶然因素引發的 DIY 硬件漲價外，從去年第三季度開始一路瘋漲的固態硬盤，以及進而引發的內存產品在內的全系存儲產品的價格狂飆。
特別是當看到一年前，還僅僅隻賣不到 200 元的 8GB 內存條，現如今居然賣到瞭 800、900 元的高價時，更是讓筆者在內的 DIY 忠實愛好者，不禁感嘆，" 早知道，囤點內存條就好瞭 "。
存儲產品在瘋狂漲價一年後，並沒有降價的跡象，究其原因，業界其實早有定論。無外乎，閃存顆粒缺貨。那麼閃存顆粒的缺貨為什麼會導致存儲產品的長久性的漲價？閃存顆粒到底又是何物？存儲產品和閃存顆粒又有哪些聯系？下面，筆者就從此次存儲產品漲價風波出發，和大傢一起談談閃存顆粒那些事。
存儲顆粒決定產品成本
所謂閃存顆粒，通常都簡稱為閃存。 它其實是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區塊為單位，而不是以單個的字節為單位。
同時閃存不像 RAM ( 隨機存取存儲器 ) 一樣以字節為單位改寫數據，因此不能取代 RAM；但是在工藝上，無論是閃存顆粒、還是內存的 DRAM 顆粒，亦或是手機內存 RAM 顆粒，甚至是顯卡產品上的顯存顆粒，都是大同小異的，都是在通過晶圓廠商的切割後，在不同組裝線上進行精細化的加工合成。
回到閃存顆粒上，由於閃存具有非易失性（即斷電後還能保存數據的特性），以及具有穩定性、高性能、小體積等諸多優點，成為瞭當下存儲產品首選存儲原料。
所謂 " 固態硬盤 " 名稱的由來，也是源於閃存顆粒遠優於傳統機械硬盤中機械磁盤的堅固牢靠等特點。可以說，固態硬盤的出現和大發展，大部分要歸功於閃存技術的發展和革新，因而固態硬盤內部的絕大部分成本，或者說存儲產品內部的絕大部分成本都取決於存儲顆粒。
閃存顆粒的技術和發展現狀
由於閃存顆粒在當代對於存儲產品的重要性，根據其內部電子結構不同，全球閃存產品主要有三種，SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）以及 TLC ( 三層存儲單元 ) ，此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區別。
SLC（單層式存儲），單層電子結構，寫入數據時電壓變化區間小，壽命最長，但是造價昂貴，多用於企業級高端產品。
MLC（多層式存儲），使用高低電壓的而不同構建的雙層電子結構，壽命相對較長長，造價可接受，多用民用高端產品。
TLC（三層式存儲），是 MLC 閃存延伸，TLC 達到 3bit/cell。存儲密度最高，容量是 MLC 的 1.5 倍。 造價成本最低， 使命壽命相對較低，性價比高，是當下主流廠商首選閃存顆粒。
除此之外，近年來部分存儲巨頭，甚至已經在研發擁有四層存儲單元、更高的存儲密度的 QLC 閃存顆粒。當然，除瞭在平面上進行單個晶圓內部的存儲容量的研發外，更加成熟、更加激進的研發方向其實是在 3D 立體存儲容量上的革新，即 3D NAND 閃存技術。
所謂 3D NAND 閃存技術，其實就是在原本隻有兩個方向即平面上進行顆粒排列的晶圓上，通過技術手段，進行顆粒的疊加，即在垂直方向上進行多個顆粒的堆疊，以實現單個晶圓的存儲容量的大規模提升。
可以簡單理解為，2D NAND 技術就如同在一片空地上建造平房，但是空地面積是有限，超過空地總面積，也無法建造新的平房，而這些平房就可以理解為存儲空間。相對應的 3D NAND 技術就像是同一片空地上建造樓房，理論上可以無限延伸內部空間，即使空地面積完全建完，也可以通過提高樓房的高度，創造新的空間。
如今，閃存行業，比較成熟和性價比高的技術依舊是 64 層 3D NAND 技術，在今年年底 72 層 3D NAND 技術應該可以實現較大的突破，甚至實現大規模量產，更有甚者部分領軍企業已經在研發 96 層以及更高堆疊層數的 3D NAND 顆粒瞭。
存儲產品漲價的內外因分析
在瞭解瞭相當多的閃存知識之後，我們可以再回過頭來，一起聊聊存儲產品為何會出現如此的暴漲。核心原因，以閃存顆粒為代表的原材料缺貨，這裡不單提閃存顆粒，是因為內存等產品其實是 DARM 顆粒的缺貨，以免引發爭議，其實本質上二者的原料和工藝相差不大。
那麼閃存顆粒等原材料為何缺貨呢？一聊到這裡，不少熱心網友一定會熱血沸騰、煞有其事的說到，" 肯定是三星等閃存廠商背後操縱產量，引發缺貨，價格上漲 "。
對於此，筆者不發表任何態度，對於陰謀論，什麼時候都會有，任何事件都會有人提，在這裡筆者僅僅說說個人看法。閃存顆粒等原材料（包括內存 DARM 顆粒）的原因，主要有兩個，也可以說是兩方面。一方面是內因，另一個是外因。
內因是，晶圓技術不夠成熟，良品率不高，導致供不應求。以閃存顆粒技術為例，在去年三季度固態硬盤價格瘋漲最厲害的時間段，東芝、三星等主要閃存廠商都在加緊研發 64 層 3D NAND 技術，可不幸的是研發的結果不容樂觀，良品率相當低下；
不僅不能按照原計劃上市基於 64 層 3D NAND 技術的全新固態產品，而且原有的 48 層 3D NAND 產品線也為瞭給 64 層 3D NAND 產品線讓道而無法繼續再生產，導致固態硬盤產品在去年三季度價格暴漲，直到今年年中 64 層 3D NAND 產品線的成熟才勉強漲停。
然而，隨著需求的提升，來到今年三季度，64 層 3D NAND 已然跟不上市場需求，72 層 3D NAND 技術的成熟與否，則會決定下一年固態硬盤產品的走向。
外因則是，手機等產品線對於大容量存儲顆粒的旺盛需求，以及手機廠商極大地利潤率帶來的高議價能力，讓主流的晶圓廠商更加樂意為手機等新興產品線提供原材料以及存儲顆粒，相對應的分配給傳統存儲廠商的原材料及存儲顆粒的大幅減少，自然而然的導致成品的缺貨，價格大漲。
暴漲後必然回歸正常
在內因和外因的雙重影響下，存儲產品價格的瘋狂上漲也是可以理解的。那麼，這種瘋狂上漲是否會一直持續下去呢？
正所謂，" 月盈則虧 月虧則滿 "，市場規律下任何產品都會經歷高峰和低谷。此次存儲產品的瘋狂漲價，隻是存儲行業的周期性波動，和以往任何一次存儲業界的價格波動一樣，在持續瘋漲後一定會迎來回歸。
原因也有二，一是隨著手機等新興產業的拐點到來，對於存儲顆粒等井噴式的需求降低，手機廠商的議價能力和利潤率的雙降，主要的閃存廠商的大規模供貨還是會回歸到傳統的硬件存儲市場。
其二，技術的研發總是越來越快，成熟度和良品率也會越來越高，造價也會越來越低；偶爾一次的研發不理想並不會影響整個產業發展和技術研發。綜上所述，在當下存儲產品暴漲風暴中，無論是作為 DIY 發燒友，還是普通玩傢，都應該以正常心態應對，特別是有著攢機需求的朋友，還是應該根據自己的真實需求進行合理攢機。
