長期以來，我國半導體行業發展落後，沒有量產芯片顆粒的能力，嚴重依賴國外芯片顆粒。
在中國的進口貿易中，僅 2016 年 1 月份到 10 月份，中國在進口芯片上就花費瞭 1.2 萬億人民幣，是花費在原油進口上的兩倍。好在現在中國正在加大在芯片領域的投資，進展尚佳。人們希冀國產內存能夠打破 DRAM 的價格壟斷，從而購買更為廉價的內存，但事實果真如此嗎？
國產內存進展一覽：良品率低、技術不成熟
DRAM 研發是一項極其燒錢的技術。2016 年，紫光集團總耗資 1000 億相繼在武漢、南京、成都開工建設瞭存儲芯片與存儲器制造工廠，目標打造國產晶圓及 DRAM 顆粒和 3D NAND。而這其中，DRAM 技術研發難度最大，進展也是最緩慢的。
在 2017 年末，電商平臺流出瞭少量紫光 DDR3 內存，其 DRAM 技術來源於紫光集團收購的英飛凌科技下在存儲事業部，並且產能一直不足，良品率低的問題也沒解決，所以並未正式售賣。2018 年 2 月 28 日，紫光集團宣佈旗下的 DDR4 內存將在年內逐步推向市場，坦然承認其銷售規模不會太高，對年度財報影響較小。
前我們可以購買到未經公開銷售的紫光 DDR4 內存，這款內存還沒有采用紫光顆粒，原因當然還是 DRAM 產能不足。采用紫光顆粒的 DDR3 內存表現還可以，經過網友們測試，紫光 DDR3 內存可以在默認電壓下超頻至 2000MHz。不過這也沒什麼可奇怪的，畢竟 DDR3 內存的行業標準就這樣。
在價格上，紫光內存似乎不太 " 良心 "。DDR4 4GB 內存高達 420 元，和人們希望的國產內存打破國外壟斷價格的願望相差甚遠，與其他品牌內存相比也沒有什麼優勢。當然，紫光內存的真正定價還要等正式上市我們才能公正的去評論。
國產內存和內存降價無關
內存價格兇猛，一些國人期待國產內存可以打破國外技術壟斷，內存價格可以降下來。但這裡我要為大傢潑一盆冷水，因為國產內存短期內暫時無法影響 DRAM 的價格走勢，原因有三：
1、紫光集團內存產能較小，市場規模也小，無法與三星、美光、海力士等 DRAM 大廠抗衡。
2、2018 年內存需求量依舊非常大，再加上原材料現在正處於供應量大幅增加階段，這導致瞭紫光內存的成本很高，實際產品的價格也並不會在短時間內實現下跌。
3、無論是產品的品牌效應還是技術，國產紫光內存的優勢都不大，短期難以盈利。無法影響財政，所以也沒有能力打價格戰。
看到這兒你可能會問，那國傢費這麼大力氣研發內存有什麼用？
對於我們個人而言，內存國產和進口沒什麼區別，但上升到國傢高度上，國產內存的重要性不亞於國產 CPU 和國產系統。早在 2015 年，我國超算行業就遇到美國商務部禁售 Intel 至強處理器的事件。美國商務部於 2015 年 2 月 18 日發佈的一份通知稱，使用瞭兩款英特爾微處理器芯片的天河二號系統和早先的天河 1 號 A 系統，" 據信被用於核爆炸模擬 "。
所以我們可以看到，如果技術受制於人，未來必然會面對更多的禁售事件。此外，內存技術掌握在他國手中也意味國傢信息安全上存在阿喀琉斯之踵，風險極大。現代社會電子產品無處不在，內存是電子產品必不可少的關鍵部件。如果內存存有 " 後門 " 程序，將導致國傢諸多敏感信息泄露。
所以中國大力研發 DRAM、3D NAND 是國傢級策略，內存降價對中國半導體行業沒有一點好處，甚至還有風險，這點我們下文會提到。
警惕風險：備戰 DDR5
前幾年很多 DRAM 廠商紛紛倒閉，隻剩下三星、海力士、美光三傢，究其原因還是 DRAM 不賺錢。
2017 年市場需求太猛烈，DRAM 廠商產能跟不上才導致瞭供不應求、價格猛漲的 " 超級利好 " 時期。然而，全球第一和第二大 dram 生產商三星電子和 sk 海力士正在爭先恐後地擴大 DRAM 產量。報道預計，如果兩大巨頭繼續增產，那麼全球 DRAM 的供求情況就會發生逆轉，DRAM 價格也將暴跌。一旦內存價格下跌，中國半導體行業很可能虧損甚至被拖垮。
此輪 DRAM 增廠並不是空穴來風，有臺灣企業調查顯示 " 三星為瞭提高市場進入壁壘，正在試圖增加 dram 產量，防止 DRAM 價格進一步上漲。"
在 2017 年第三季度的業績發佈會上三星電子也表示：" 將會把華城工廠的 nand 閃存生產設備轉換為 DRAM 生產設備，此外還會利用平澤工廠的 2 樓去生產 DRAM。" 全球最大的金融機構之一美銀美林集團預測，三星電子的 DRAM 生產能力在今後 2 年內將增長 20.3%。
sk 海力士也不例外。2017 年 7 月，sk 海力士將投資規模增加瞭近 40%，從而把在中國無錫的 DRAM 工廠的生產能力提升瞭兩倍。不過，報道稱，排在 dram 生產第三位的鎂光公司並沒有一起跟進。在業內人士看來，三星和海力士的行為都是在打壓中國半導體行業崛起的手段，內存的國產之路，風險重重。
進入 2018 年後，內存行業將正式公佈 DDR5 內存規范，下一代 DDR 內存的帶寬和密度都是現在的兩倍，技術難度也將達到前所未有的高度，DRAM 面臨新一輪洗牌，這是中國企業的挑戰也是彎道超車的最佳時機，未來希望中國的半導體企業可以在 DDR5 內存上大有作為，打破行業壟斷，彰顯大國風采。
