前段時間三星的閃存芯片工廠又出瞭一起事故，突發停電半個小時，導致正在生產中的晶圓受損，不同消息來源於損壞的晶圓數量不一，有說是 6000 片，有說是 60000 片，最誇張的是損失瞭 60 萬片晶圓，如果是後兩者，這對三星的 NAND 產能影響可不低，勢必會導致 NAND 閃存價格波動。
聯想到三星以及 SK Hynix 兩傢公司之前出現的一些停電、火災等意外事故，很多網友又調侃這起事故又讓三星有瞭漲價的借口。
玩笑歸玩笑，三星作為生產廠商自然不樂意見到意外事故發生，但是這件事還是引起熱議，特別是在中國消費者群體中，人們關心的一個問題是未來誰能制衡三星、SK Hynix、東芝、美光等公司呢？我們都期待國內公司能逆襲，但如何逆襲呢？
對於國內內存及閃存的問題，我們最近做瞭很多文章探討國產芯片的文章，特別是對紫光 DDR3、DDR4 內存的報道及評測影響很廣泛，我註意瞭下很多站內、站外網友的評論，有的讀者對國產一事冷嘲熱諷，還有的讀者認為國產內存一路順風，DDR3 內存已經來瞭，DDR4 內存不遠瞭，似乎一兩年內就能把三星踩在腳下，讓內存市場迅速降價，甚至恢復之前的白菜價。
對於這兩種截然相反的評價，我們要理性看待，嘲諷是不對的，但是盲目樂觀更不可取，存儲芯片是高科技制造行業，中國廠商在這個領域缺席瞭幾十年瞭，國產化可以說是一片空白，我們肯定要做到後來居上，但是這個過程可能需要很長時間，不是短短幾年就能扭轉的。
全球內存產業格局：高度壟斷、三星獨大，門檻極高
按照中國制造 2025 的規劃，國產要突破的其實是整個半導體產業鏈，從半導體裝備再到芯片生產、測試及應用等環節全部涉獵，存儲芯片是現在的重點，不過它也隻是半導體芯片中的一部分，而內存芯片又是存儲芯片中的一部分，不過它是其中重要的一部分。
2017 年全球 DRAM 內存產值 720 億美元，主要原因就是 DRAM 芯片一年內漲價 74% 所致，而 NAND 產值約為 498 億美元，當然閃存市場價格過去一兩年也是大漲的，隻是價格沒有內存這麼誇張而已。
在全球 720 億美元的內存產業中，三星、SK Hynix、美光三傢公司占據瞭大約 95% 的份額，其中三星一傢就占瞭大約 46% 的份額，SK Hynix 份額大約在 29%。
美光兩年前收購瞭為它代工內存芯片的華亞科公司，市場份額大約在 21%，剩下的份額被臺灣南亞、力晶等公司所獲得，不過他們對市場並沒有什麼影響力，而兩傢韓國公司就控制瞭全球 75% 的內存市場份額，呈現出高度壟斷的形勢，三星一傢的規模差不多是其他兩傢之和，產能遙遙領先，整個情況跟三國時期差不多，魏國三星一傢獨大，吳國 SK Hynix、蜀國美光實力無法與之相比。
這三傢公司不僅壟斷瞭市場，也給市場的後來者制造瞭極大的準入門檻，其他國傢或者地區因為沒有 DRAM 產業鏈，所以人才培養就無從談起，而內存工廠也跟處理器工廠一樣需要不斷升級工藝，所需的技術及資金投入也是個難題，SK Hynix、美光大大落後於三星就是因為在 20nm 節點升級上進度不順，而三星不僅是第一個量產 20nm 工藝的，還是第一個量產 18nm 工藝的，不出意外的話未來的 17nm、16nm 都將是三星首發、量產。
要想盤活內存產業，技術、人才、資金一個不能少，中國現在不愁的是砸錢，但是人才、技術是沒法獨自解決的，而這也是國內發展內存產業的一個桎梏，為瞭快速進入這個產業，不少國內公司紛紛從臺灣、韓國以及日本等地區的公司搶人才，甚至挖角現任員工，而這很容易陷入法律糾紛中。
前不久就有報道稱美光公司去年底選擇在美國加州提起訴訟，指控臺灣聯電及大陸的福建晉華侵犯他們的 DRAM 專利權，竊取商業機密，這就是國內公司從臺灣華亞科等公司搶人才所帶來的不利後果之一，很容易就惹出法律官司。
總之，內存市場龐大的產值雖然讓不少公司心動，但是現在的格局導致瞭內存市場的進入門檻極高，日本公司曾經是內存市場霸主級別的力量，但是爾必達、瑞薩等公司要麼退出內存芯片市場，要麼就破產倒閉，市場拱手讓給瞭美國、韓國公司。
日本公司早前進軍 DRAM 市場上還能輕松得到美國公司的技術授權，下場依然如此，更別提中國公司要在 0 的基礎上打造內存產業的難度瞭。
中國內存產業現狀：DDR3 剛起步，工藝嚴重落後
那麼中國自己的內存產業現狀如何呢？
如果說 NAND 閃存以及 NOR 閃存市場上，中國公司尚有一絲存在感的話，那麼 DRAM 內存上真的是一窮二白。
最近我們測試 DDR 內存的文章引起瞭很多同行及玩傢的追捧，紫光的 DDR3 顆粒整體表現還不錯，也有部分媒體寫的很誇張，似乎紫光 DDR3 內存要吊打金士頓、芝奇、三星瞭，不過實際情況是紫光的 DDR3 內存也是剛起步而已，我們現在網上買的紫光顆粒 DDR3 內存條主要是經銷商所為，數量並不多，店鋪顯示的庫存隻不過是 66 多條而已。
即便是 DDR3 內存，也不是紫光自主研發的，生產單位西安紫光國芯其實是買來的，最初它是英飛凌 2003 年在西安成立的存儲芯片部門，2006 年英飛凌半導體業務拆分成立瞭奇夢達科技，2009 年他們被國內的浪潮公司收購，重組成瞭西安華芯半導體，2015 年紫光從另一個清華系公司同方手中收購瞭同方國芯的 36% 的股權，成立瞭紫光國芯，而西安紫光國芯就是他們從浪潮手中買來的，現在是子公司，他們的 DDR3 內存實際也是奇夢達公司的遺產。
DDR3 內存現在還沒有淘汰，不過它確實不是目前桌面、服務器以及智能設備的主流瞭，所以很多人更期待於紫光國產 DDR4 內存，不過早前紫光針對這事辟謠過，他們現在還沒有量產 DDR4 內存，後來我們得到的消息說紫光預計在今年下半年推出 DDR4 內存顆粒，但是具體的情況就不得而知瞭，容量、價格等等關鍵信息還是未知數。
不僅是主流內存量產進度落後，國產內存現在還有技術落伍的風險，迄今為止紫光的 DDR3 顆粒制程工藝也沒有公佈，考慮到奇夢達已經是 10 多年前的事瞭，西安紫光國芯的 DRAM 工藝至少也是 30nm 及以上級別的瞭，而現在主流的內存工藝早就是 20nm 級別瞭，三星 2016 年就量產 18nm 工藝瞭，下一步就是 17nm 工藝瞭。
國產內存確切的制程工藝一直是個謎，不過我們可以從別的信息佐證下，去年兆易創新公司宣佈進軍 DRAM 內存，他們與合肥市政府控股投資公司簽署瞭合作協議，項目預算 180 億元，目的是在 2018 年底研發出 19nm 工藝的內存芯片——
如果成功瞭，他們的內存工藝其實還是挺先進的，雖然還是比不過三星，但至少也是主流級別的瞭，隻不過兆易創新的目標是良率不低於 10%，這個標準並不是量產水平的，10% 的良率隻可能是技術實驗，意味著離量產上市有很長的一段距離。
別說 DRAM 內存瞭，國內的 NAND 閃存工藝都要是挺落後的，紫光在武漢的長江存儲公司現在研發的隻是 32 層堆棧的閃存，核心容量不過 64Gb，這跟目前主流 64 層堆棧、核心容量 256Gb 甚至 512Gb 的 3D NAND 也要落後兩年時間。
而兆易創新的 NAND 閃存量產水平才是 38nm 工藝，24nm 級別的還在研發中，註意他們的還是 2D NAND 閃存，三星、東芝早就量產 15、16nm 工藝的 2D NAND 閃存瞭，而且 2D 閃存是他們正在淘汰的技術。
國產內存的機遇：自主研發、技術授權兩步走
國產內存基礎這麼差，技術差距這麼大，難道我們要放棄這個領域嗎？並不會，不隻是存儲芯片，中國以往落後的領域多瞭，以前大傢羨慕日本、歐洲的高鐵，現在中國的高鐵裡程遠超其他國傢，我們不也一樣追趕上來瞭嗎？
內存產業也是如此，中國這麼大的市場完全依賴進口是不可行的，知難而上是中國公司的優良傳統，在國產內存這個問題上，中國擁有全球最大的市場，而且現在有大筆投資，我們的方向是正確的，現在缺少的是理性的發展策略。
中國有自力更生的傳統，所以國內公司在自主研發的道路上是不會停止的，但在這個經濟全球化的 l 時代，中國公司閉門造車、重復造輪子的做法也不可取，自主研發的同時我們必須也要盡可能尋找合作夥伴，團結可以利用的力量。在這方面，迫切需要中國市場和產能的夥伴還是有的。
Intel：中國發展存儲產業的最佳合夥人？
國內目前確定發展的存儲芯片首先是閃存，國傢隊代表就是紫光在武漢的長江存儲科技，而內存產業因為難度更大，所以一開始就是打算尋求國外公司合作的。
很多人可能還記得當初紫光公司 230 億美元收購美光的傳聞吧，那時侯存儲芯片還沒漲價，230 億美元的報價不低，美光當時股價下跌、營收下滑，如果不是被美國政府部門否決，當時合作還是有戲的。之後又有傳聞稱紫光公司要跟 SK Hynix 合作，尋求他們的內存技術授權，雙方在國內成立合資公司生產芯片，不過最終也沒瞭下文。
三傢內存公司中的兩傢沒瞭合作可能，剩下的三星公司更沒可能瞭，畢竟他們是老大，更沒有合作的必要，反而有引狼入室的風險。
正因為此，國內的合作對象就不可能是這三傢公司瞭，不過還有一個可能更好的選擇—— Intel 公司。紫光公司確定瞭發展芯片業務的大戰略之後，陸續收購瞭展訊、瑞迪科等半導體公司，成立紫光展銳公司，隨後引入 Intel 投資，後者當時斥資 15 億美元（約合 90 億人民幣）投資展銳公司，獲得瞭 20% 的股權。
對 Intel 來說，投資紫光展銳也是有好處的，當年 Intel 還在大力補貼平板處理器市場，但是 Intel 的模式最終證明並不適合平板這種廉價產品市場，智能手機市場也是如此，而跟紫光合作之後，展訊公司就獲得瞭 Intel 青睞，不僅獲得瞭 Intel 的 X86 手機處理器授權，還有 14nm 工藝代工機會，雙方合作瞭多款 14nm 工藝的 X86 手機處理器，從高端到低端都有涉及。
在今年的 MWC 展會上，Intel 還跟展訊簽署瞭合作協議，雙方將在 5G 網絡上繼續合作。我說的這些事主要涉及的都是處理器、5G 的，跟存儲芯片沒關系，但是由此可見紫光與 Intel 公司的友好合作關系，雙方的合作會日趨深入。
這不是猜測，而是已經逐步變成現實瞭，雙方在存儲芯片上一樣有合作。
前不久 Intel 還跟紫光公開秀瞭一次恩愛，紫光推出瞭一系列閃存產品，其中首次涉及 UFS 2.1 產品市場，其中就有 Intel 閃存，而是 Intel 閃存外銷的首傢同時也是唯一傢客戶。
與此同時，市場上也在傳聞紫光未來將獲得 Intel 授權，生產 64 層 3D 閃存，在這個傳聞背後，是 Intel 與美光決定友好分手。我們都知道 Intel 的閃存是跟美光一起研發的，雙方成立瞭 IMFT 公司共同生產芯片，但是 Intel 三年前決定在中國大連改建芯片組代工廠為 3D 閃存工廠，而且也減少瞭 IMFT 工廠的股份，隻保留瞭一座工廠的份額。之前 Intel、美光更是決定雙方將在 96 層閃存之後徹底分手，大概會在 2019 年初完全獨立開來。
市場分析 Intel 此舉為與紫光合作掃清瞭障礙，未來將授權紫光的工廠生存 3D 閃存，而 Intel 也不擔心雙方有什麼沖突，因為 Intel 公司在閃存業務上專註高大上的企業級市場，對消費級市場隻是玩票性質，而與紫光合作之後，可以由紫光來負責消費級市場，雙方共同擴大份額。
Intel 能否在內存市場王者歸來？
以上提及的紫光、Intel 合作都是針對閃存市場的，跟本文說的內存並不一樣啊？那麼 Intel 在紫光發展內存的過程中會發揮某種作用嗎？
目前來說雙方並沒有公佈這方面的消息，但是我們猜測雙方一樣有共同的需求——紫光自不必說，Intel 同樣也需要發展內存，因為這對他們未來的業務轉型也很重要。
現在的玩傢都知道 Intel 是最強大的 X86 處理器公司，橫行處理器市場 40 多年瞭，但是 Intel 公司最初發傢靠的並不是 X86 處理器，而是內存芯片。
他們成立於 1968 年，首款產品就是 3101 RAM 芯片，1969 年推出瞭首個氧化物 SRAM 芯片，後來因為競爭激烈，轉而為日本公司開發處理器，無意中才開啟瞭 8086 處理器的大門，此後就放棄瞭 RAM 內存業務，專註處理器。
在過去的二十多年裡，Intel 一直是全球最大的半導體公司，技術也是最頂尖的，但是 2017 年三星超越瞭 Intel 成為瞭全球半導體一哥，背後的根源就是內存、閃存大漲價，三星營收、盈利暴漲，而 Intel 的 PC 處理器業務卻沒有這樣的好事，還被 AMD 銳龍嚴重打擊。
2015 年 Intel 公司也公佈瞭全新的戰略，未來的 Intel 也不再是一傢單純的 PC 公司，數據中心、雲服務、自動駕駛、AI 運算以及 5G 等市場也是 Intel 的重點。
為此 Intel 不惜巨資接連收購瞭 Altera FPGA 芯片公和 Mobileye 自動駕駛公司，不論哪種業務，未來都需要提供 Intel 提供一攬子解決方案，而不是單純的供應芯片，內存芯片、閃存芯片同樣也很重要。有數據指出，到 2020 年，互聯網汽車的存儲需求將達到 1 萬億字節，也就是 1000GB，自動駕駛還需要 300GB/s 以上的系統帶寬，如果 Intel 不及早佈局存儲芯片市場，那麼未來將會處於下風。
Intel 目前並不生產 DRAM 內存芯片，但是 Intel 在內存相關的技術上無疑是有話語權的，包括 DDR 內存的發展方向，Intel 都是一直參與的，而且 Intel 何時支持新技術標準還會影響整個產業發展，地位舉足輕重。
以 Intel 的地位，他們是不適合介入內存大規模生產的，如果是自己投資，Intel 面臨的麻煩會很多，成本也不如紫光，所以雙方是有共同的合作需求的，未來 Intel 在技術授權上給紫光提供便利，而紫光憑借龐大的產能以及中國市場容量，雙方合作勢必會從其他三傢公司中搶得市場份額，改變原有的產業格局。
