這一年來有關國內公司進軍內存產業的消息甚囂塵上，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達基礎在 DDR3 內存上已經作出瞭突破，小批量生產瞭 DDR3 內存，下半年還會推出更主流的 DDR4 內存芯片，正在努力追趕國際主流水平。
但是放眼整個內存市場，DDR5 內存很快就要來瞭，更可怕的是未來即便是 DDR5 內存也很可能被更新的技術淘汰，業界已經有人提出瞭 DDR 內存將死的看法，未來需要高帶寬的產品將轉向 HBM 內存，2020 年會有 HBM 3 內存，2024 年則會有 HBM 4 內存，屆時帶寬可達 8TB/s，單插槽容量可達 512GB。
對於 HBM 內存，DIY 玩傢可以說也是相當熟悉瞭，AMD 在 2015 年的 Fury 系列顯卡上首次商用第一代 HBM 技術，超高的帶寬、超低的面積占用徹底改變瞭當時的顯卡設計，隨後 NVIDIA 在 Tesla P100 上商用瞭 HBM 2 技術，不過消費級市場上使用 HBM 2 技術還是 AMD 去年的 RX Vega 顯卡，但是因為 HBM 2 顯存的成本太過昂貴，RX Vega 上實際上使用瞭兩組 4GB HBM 2，等效位寬比第一代減少一半，盡管頻率大幅提升，所以實際帶寬反而低瞭一些。
見識過 HBM 的玩傢對該技術肯定印象深刻，那麼未來它又該如何發展呢？HPE（惠普企業級）公司的 Nicolas Dube 日前分享瞭他的一些觀點，在他看來 DDR 內存要走到盡頭瞭（DDR is Over），特別是一些需求高帶寬的場合中。
根據他分享的一些數據，HBM 2 內存將在 2018 年大量應用，HBM 3 將在 2020 年左右應用，改進版的 HBM 3+ 技術在 2022 年應用，2024 年則會有 HBM 4 內存，帶寬及容量也會逐級增長，比如現在的 HBM 2 內存，核心容量可達 8Gb，通過 TSV 技術可以實現每個 CPU 支持 64GB HBM2 內存，每路插槽的帶寬可達 2TB/s，而到瞭 HBM 4 時代，每個 CPU 支持的容量可達 512GB，帶寬超過 8TB/s。作為對比的話，目前 AMD 的 EPYC 處理器支持 8 通道 DDR4 內存，雖然最高容量能達到 2TB，但是帶寬不過 150GB/s 左右，與 HBM 內存相比就差遠瞭。
按照他的觀點，在一些需要高帶寬的場合中，HBM 技術無疑遠勝 DDR 內存，所以他說的 DDR 內存將死在這方面是成立的，比如 HPC 高性能計算機行業就非常需要 HBM。不過話說回來，DDR 將死這個判斷並不適合桌面市場，HBM 技術雖然各種好，但是現在來看成本問題一時半會都沒法解決 .
目前能生產 HBM 內存的廠商隻有三星、SK Hynix，美光因為有 HMC 技術，對 HBM 並不怎麼熱心，所以 HBM 降低成本的過程將是漫長的，對桌面級玩傢來說 DDR4 很長一段時間內都不會過時，2020 年左右會開始推 DDR5 內存，所以三五年內我們是看不到 DDR 內存被 HBM 幹掉的可能的。
