星巴克的咖啡廳裡時常能聽到有人談創業，說是做瞭個 APP 或者網站就能拿到多少風投，還有什麼天使輪、A 輪、B 輪融資，外人聽瞭不免羨慕現在還可以這麼賺錢！
不過最近的風向可能變瞭，有些人談的不再是互聯網創業，而是內存條，因為最近的 8GB DDR4 內存條一路從 600 元漲到瞭 900 元，幾乎是一周大漲一次。
在電子產品日益白菜價的今天，內存逆市漲價而且還能漲這麼兇猛可真是一個奇跡，隻不過這個奇跡讓存儲廠商喜笑顏開，廣大人民群眾可就苦瞭，這種逆天的漲價何時才是個頭，誰又能來終結三星、東芝等廠商的瘋狂呢？
2016 年內存、閃存價格還在不斷下滑，廠商叫苦不迭，但是到瞭下半年形式就急轉直下，一路上漲，不僅漲價幅度高，而且持續時間也創造瞭記錄，這背後總得有什麼原因吧。
圍繞這件事也鬧出瞭各種陽謀，陰謀，有說是供不應求，有說是三星、Hynix、美光等廠商聯合串通，那麼導致這一輪大漲價的原因都有哪些呢？
普通的 8GB DDR4cs 從要 900 多元瞭，實在瘋瞭
①：市場風向改變，移動設備需求大增
過去幾年大傢一直在談的都是 PC 市場不行，除瞭遊戲 PC 市場還有點看頭之外，其他市場銷量各種下滑，移動市場也從藍海殺到紅海，增速也放緩。
但是廠商的競爭並沒有停止，反而為瞭提高吸引力不斷推高配置。這兩年中智能手機內存從之前的 2-3GB 快速增加到 4-6GB，旗艦機甚至上瞭 8GB 內存，而閃存容量也從之前的 16GB、32GB 變成瞭 64GB 起，高端點的甚至上瞭 128GB、256GB 存儲。
不隻是安卓陣營如此，蘋果的 iPhone、iPad 也是如此，手機內存上瞭 2GB、3GB，iPad Pro 內存大幅提升到 4GB，存儲容量也是 64GB、128GB 以及 256GB，今年的 iPhone 8 及 iPhone X 更狠，直接就是 64GB、256GB 兩種容量，128GB 的都給取消瞭。
考慮到蘋果 iPhone 手機每年 2 億多的銷量，存儲容量這樣翻倍成長，對整個市場需求的影響是非常大的，而國產廠商也紛紛加入競爭中，中低端手機內存、閃存容量都在大幅成長，3+32GB 都是入門低配瞭。
移動市場是這一輪閃存、內存漲價的主要誘因，再加上服務器、數據中心市場的內存、SSD 銷量也在增加，整個存儲芯片市場的需求是逆勢上揚，PC 市場雖然下滑，但是改變不瞭大趨勢，畢竟移動設備的銷量早已超過 PC 市場，所以說 PC 內存漲價很大程度上是遭受瞭池魚之殃，DIY 玩傢這次是慘到傢瞭。
②：制程轉換進展不利，產能受影響
市場需求大漲，供應鏈廠商正常的做法應該是加大生產力度以滿足市場需求才對，可他們偏偏在這樣重要的關頭掉瞭鏈子。
2016 年三星、美光、SK Hynix、東芝等廠商面臨著技術升級——內存轉向 20nm 以下制程、閃存也從 2D 閃存轉向 3D 閃存，並不斷提升堆棧層數，但是這個過程並不順利，導致廠商的產能並沒有快速提升。
以內存為例，三星是最早量產 20nm 工藝，去年初又宣佈瞭 18nm 工藝，正常計劃是在 2016 年底量產，不過 18nm 工藝進展不如預期，早前還傳出瞭 18nm 內存芯片良率不行，被緊急召回的消息，盡管三星官方予以否認。
但是這事依然給新工藝轉換蒙上瞭陰影。除瞭三星，SK Hynix、美光因為資金、技術實力不如三星，20nm、18nm 工藝轉換過程比三星更為艱難。
閃存市場也是如此，2016 年廠商的閃存開始從 2D TLC 轉向 3D MLC/TLC，主流堆棧層數開始從 24、48 層轉向 64 層，但是這個轉換過程中廠商的產能也受到瞭影響，而要想獲得容量、成本的均衡，閃存堆棧至少要達到 64 層，這才能彌補轉產 3D 閃存導致的 2D 產能損失。
即便到瞭今年，產能不足的影響依然存在。從 IC Insights 公佈的數據來看，2017 年 DRAM 內存芯片的位元容量增長不過 15-20%，這點增長相對市場需求來說隻是杯水車薪，並不能改變供不應求的局面，導致市場長期處於供應不足的狀態，價格自然就水漲船高瞭。
③：內存廠商、經銷商囤積居奇，二次盤剝
上遊廠商的產能以及下遊的需求是決定內存、閃存漲價與否的關鍵，但在這場漲價災難中，上遊廠商並不是唯一的元兇，整個產業鏈的廠商都參與漲價瞭，為的就是趁著漲價大賺特賺。
從集邦科技統計的結果來看，從去年 Q2 季度到今年 Q2 季度，DDR4 內存顆粒的漲價幅度約為 100%，但是我們看到的內存漲價幅度可不止如此，去年上半年 DDR4 內存 8GB 版售價也就是 200 元左右，但是現在的 8GB 內存條售價接連突破瞭 600 元、700 元乃至 800 元大關，還在往 900 元上一路狂奔，哪天突破 1000 元也不讓人意外。
從這裡我們也可以看出，上遊的內存、閃存顆粒漲價隻是這次漲價的一部分，內存廠商、經銷商在這個過程中也 " 功不可沒 "。
根據我的瞭解，越是在供應不足、售價上漲的情況下，部分廠商越不願意出貨，反而囤積居奇，有些經銷商也是如此，手頭有貨也不出，賭的就是價格繼續漲，而廠商、經銷商認為的限制出貨，又進一步加大瞭市場空缺，從而形成瞭惡性循環。
④：時機微妙的工廠意外，漲價的幕後推手
對於存儲芯片漲價，還有一個不容忽視的因素，本來它隻是小概率事件，正常時候絕不會影響大局，但是現在也變得非常敏感瞭，這就是工廠意外。
當年 SK Hynix 無錫大火、泰國洪災影響瞭內存、硬盤價格走勢，這一幕在今天也不時出現，代表的就有三星西安 NAND 工廠的停電、美光臺灣工廠的氮氣污染、東芝 10 萬片晶圓報廢等等。
搞笑的是廠商官方的態度從來都是安撫性的，表示意外事故並不會嚴重影響產能，不會導致市場空缺，但這些事無一例外都被廣泛傳播，人為傳播內存、閃存又要漲價的消息，導致市場恐慌。
這些事故放在平時不會有多大影響，但在當前局面下，一丁點的事故都有可能被人利用，成為缺貨、漲價的借口，而普通人對此又無力反駁，隻能接受挨宰。
內存、閃存價格瘋漲的影響：廠商笑開花，消費者叫苦
盡管這次存儲芯片行業大漲價跟 PC 行業沒多大關系，但是傾巢之下焉有完卵，缺貨、漲價迅速發酵之後影響的是整個行業，PC 市場也不得不承受這些代價，而這次的漲價也改變瞭整個市場局面，廠商因為漲價而賺的盆滿缽滿，消費者則是苦痛不堪，裝機都要買不起內存瞭。
①：三星東芝美光業績大漲，盈利驚人
漲價受益最大的就是上遊廠商瞭，去年上半年 SK Hynix、美光發財報的時候還提到存儲芯片降價導致盈利下滑甚至大幅虧損，下半年之後廠商的財報畫風就完全變瞭，價格一路漲漲漲，盈利也是升升升，美光有錢收購華亞科、SK Hynix 也有錢收購東芝瞭。
三星在內存、閃存市場都占有最大份額，是這次漲價中最大的贏傢，我們就來看看他們的財報吧。
今年 Q2 季度，三星超越 Intel 成為全球最大的半導體公司，過去二十年來這個殊榮一直都是 Intel 公司的，但是現在三星因為內存、閃存大幅漲價，Q2 季度運營利潤 127 億美元，首次超過最能賺錢的蘋果公司，成為科技界的新霸主，而 Q2 凈利潤也達到瞭 97 億美元，同比增長 85%。
為三星營收、盈利做瞭最大貢獻的就是半導體業務中的存儲芯片，整個半導體業務營收 126 億美元，同比增長 65%，而運營利潤 72 億美元，同比增長 200%，如果沒有存儲芯片大漲價，正常業績是不可能有這麼高盈利增長的。
這還不算完，因為存儲芯片漲價還在繼續，三星 Q3 季度盈利又要創造歷史記錄瞭，官方尚未發佈財報，但分析師預測當季運營利潤可達 128 億美元，比去年同期增長 180% 左右，考慮到去年這時候三星因為 Note 7 召回承受瞭數十億美元損失，但是這一年來閃存、內存漲價已經讓三星賺瞭數倍瞭，損失早就彌補回來瞭。
也正因為此，三星點的股價、市值今年也一路上漲，上周股價突破 270 萬韓元，總市值達到瞭 350 萬億韓元，這兩天進一步升值到瞭 399 萬億韓元，折合人民幣 2.3 萬億，市值跟國內的工商銀行差不多，可想這是多麼恐怖的結果。
②：存儲市場因價生亂，黑芯門事件爆發
漲價讓上遊廠商笑開瞭花，但是對其他人來說就不是什麼好事瞭，缺貨、漲價甚至扭曲瞭市場，出現瞭很多以次充好等造假問題，前不久爆發的黑芯門事件就是個例子。
以往存儲芯片不缺貨的時候，內存、SSD 價格不斷走低，廠商沒必要、也沒價格空間去造假，但是現在價格高漲，128GB 硬盤也要 400、500 塊，中小廠商又沒能力拿到穩定的閃存顆粒。
所以為瞭賺錢就采取瞭一些不靠譜的辦法，比如使用質量一般的白片、黑片，甚至用洋垃圾拆機閃存以次充好。這樣的 SSD 硬盤質量不可靠，使用壽命也要打個問號，消費者不加以辨別的話很容易中招。
③：DIY 玩傢苦不堪言，省錢有絕招
現在的內存、閃存市場如此畸形，也讓人 DIY 玩傢叫苦不迭，眼看著內存、閃存漲價到買不起的地步，為瞭省錢也不得不腦洞大開——既然 DDR4 內存大漲價，那就買 DDR3 內存吧，它本來是要被淘汰瞭，但是這一年來 DDR4 大漲價，DDR3 漲幅沒這麼高，200 多還能買 4GB DDR3，裝機的話也能省一筆錢。
還有玩傢為瞭省錢，甚至考慮入手一些配備內存的準系統瞭，不過這些事都不是長久之計，且不說性能差距，即將退市的 DDR3 最近也一樣在漲價，京東上 DDR3-1600 8GB 內存也要快 700 塊錢瞭，部分型號也超過瞭 800 元，可見現在的情況下，玩傢的省錢絕招隻能治標，不能治本。
閃存、內存未來：廠商加大投資，2018 年將成轉折點
解鈴還需系鈴人，要想徹底解決內存、閃存漲價的問題，還需要讓市場回到供應平衡的狀態，目前終端需求無解，手機內存、閃存容量提升是大勢所趨，服務器、桌面市場也是如此，註定瞭未來的需求還會成長，所以問題的關鍵是上遊廠商增加產能。
好在三星、東芝、美光、SK Hynix 公司也意識到這個問題的嚴重性瞭，這一年賺瞭大錢，他們也有更多預算投入新工廠建設以提升內存、閃存產能瞭。
三星今年 6 月份在韓國平澤市啟用瞭號稱全球最大的閃存工廠，這是 2015 年就定下的 125 億美元投資的一部分，主要生產 64 層堆棧 3D 閃存，今年下半年正在加速量產。
在韓國本土之外，中國西安也是三星重要的閃存產地，此前在西安投資 70 億美元建設的閃存工廠已經在 2016 年底投產，8 月底三星又宣佈在西安投資 70 億美元升級工廠，預計三年內投產。
全球第二大閃存廠商東芝雖然賣身給財團，還與西數還存在法律糾紛，但也在加大投資力度，預計在日本四日市的 Fab 6 工廠投資 18 億美元以提升產能。
美光在去年收購華亞科之後也承諾增加對臺灣的投資，預計每年投資 20 億美元，要把臺灣工廠打造成全球內存芯片制造中心，制程工藝也會從目前的 25nm 逐步提升到 1xnm 工藝。
SK Hynix 今年初也宣佈瞭新的投資計劃，其內存芯片的主產地是在中國無錫，占瞭全球內存芯片 15% 的產能，去年底投資 9500 億韓元升級車間，今年則會投資 36 億美元建設第二工廠。
此外，SK Hynix 還將在韓國投資 2.2 萬億韓元 ( 約合 128 億人民幣）建設閃存工廠，未來也會將主力從 36 層、48 層堆棧提升到 72 層堆棧。
Intel 公司 2015 年也宣佈在中國大連投資 55 億美元建設閃存工廠，去年工廠建設基本完工，開始試產 3D NAND 閃存。
可以說全球主要的內存、閃存廠商這一兩年都宣佈瞭新的工廠擴建計劃，考慮到建設一座 12 英寸晶圓廠需要 2-3 年時間，那麼大部分工廠會在 2018 年投產。
現在重點來瞭，讓廣大 DIY 玩傢期盼的內存、閃存從上漲變成持平甚至降價的轉折點就在 2018 年，屆時 3D 閃存將完全取代平面閃存，64 層及更高的 72 層、96 層堆棧成為主流，閃存在容量、成本之間取得均衡、存儲密度更高的 QLC 閃存也會進入市場，這將大幅提升閃存的位元容量，緩解市場需求。
同樣地，內存廠商大部分也會完成 20nm 及以下工藝的轉換升級，內存產量也會邁上一個臺階。
中國成存儲市場最大變數，國產廠商能否終結三星東芝？
2018 年閃存、內存產能提升之後就不會再出現類似的大漲價瞭嗎？我很想回答說是，但是整個閃存、內存市場的問題在於高度集中，市場壟斷在少數幾傢廠商中，重量級的廠商加起來不會超過 10 傢，並不利於競爭。
這樣的結果對中國來說尤其痛苦，因為中國作為最大的存儲芯片市場卻沒有任何話語權，去年進口瞭 130 多億美元的閃存從芯片，存儲芯片的對外依賴度超過 90%，以致於中國廠商隻能任由三星、東芝、美光等公司開價。
好在中國現在已經加大瞭半導體產業投資，首選領域就是存儲芯片。2015 年國傢決定在武漢建設存儲芯片產業基地，由武漢新芯公司主導，整個項目投資高達 240 億美元，2016 年紫光公司收購瞭新芯公司，在此基礎上成立瞭長江存儲科技，成為瞭國內自主存儲芯片發展的第一梯隊。
按照規劃，武漢一期工程占地 1 平方公裡，主要生產 3D 閃存，2018 年建成時產能為每月 20 萬片晶圓，之後還會進軍內存市場，2020 年時月產能將達到 30 萬片晶圓，而到瞭 2030 年，武漢還會進入代工市場，總產能達到 100 萬片晶圓 / 月。
這個產能到底是什麼概念呢？三星在中國西安的閃存工廠月產能就在 10 萬片晶圓左右，SK Hynix 在無錫的內存工廠月產能在 10-15 萬片晶圓，這已經是 Hynix 全球 15% 左右的內存產能瞭。
2030 年的 100 萬片晶圓產能更加誇張，臺積電去年產能也就是 100 萬片晶圓 / 月，紫光在武漢的投資幾乎是再造一個臺積電產能規模的晶圓廠，要知道臺積電一傢就占瞭去年全球整個晶圓代工市場的 60%，武漢的存儲芯片基地野心極大。
不過放在全國來說，武漢隻是眾多存儲芯片基地之一，紫光還在南京、深圳規劃投資數百億美元建設新的存儲芯片工廠，三地總投資預計會達到 700 億美元，其中南京投資 300 億美元，一期工程產能同樣高達 20 萬片晶圓 / 月。
紫光公司可以說是閃存芯片產業投資的國傢隊，除此之外還有不少地方隊也在投資存儲芯片。合肥有長鑫公司主導投資的 72 億美元項目，月產能達到瞭 12.5 萬片晶圓。
在福建，省政府背景的晉華集團聯手臺灣聯電公司也在開展閃存、內存芯片研發、生產，未來的投資也是數十億甚至上百億美元。
由於有國傢大基金在背後支持，國內上馬閃存、內存項目並不缺錢，不過關鍵的問題還是技術、人才。
在上述項目中，目前進展最好的還是長江存儲，根據該公司 CEO 楊士寧的表態，他們與中科院微電子研究所合作研發出瞭 32 層堆棧的 3D 閃存，性能、可靠性等指標符合預期，預計在 2019 年量產，2020 年他們的目標是跟國際一流水平接軌。
國傢如此大手筆投資半導體產業，其實對半導體產業也是有要求的，希望到 2020 年將國產化率提升到 40%，2025 年提升到 70%，如果對比現在幾乎 90% 都依賴進口的存儲芯片市場，這個要求真不低，這也是相關公司不惜巨資投資的原因。
可以預見，一旦未來兩年國產 3D 閃存、內存芯片投入生產，以中國公司殺價搶市場的作風來說，內存、閃存市場將會迎來劇變，美日韓壟斷市場的局面將會被打破，他們要麼跟中國公司拼價格，要麼就拼產能。
這讓人想到瞭中國公司在光伏、LCD 液晶屏市場的成功之路——盡管過程很曲折，但是中國公司最終是殺出重圍瞭，中國的 LCD 液晶屏產量已經是全球第二，與第一的韓國相差不多瞭。
總的來說，閃存、內存市場眼下還會繼續上漲，但是這種狀況很快就要被打破，也應該被打破，因為不斷上漲的價格也會抑制市場需求，照這麼漲下去，年底 8GB 內存就要突破一千元瞭，消費者最後的選擇就是不買，反正裝機需求也不是那麼強烈。
到瞭 2018 年，隨著各大廠商產能的提升，預計內存、閃存價格會穩定下來，不會像現在這樣瘋狂瞭，不過 2018 年期待內存、閃存大降價也是不現實的，這就跟房價一樣，漲上去之後要想降回來不那麼容易。
真正能給閃存、內存市場價格帶來扭轉的機會還得看中國公司，隻要他們在技術上不會出現太大的問題，以中國公司投資的力度，閃存、內存產能將會急劇擴張，進而推動市場降價，消費者期待的 8GB 內存白菜價才有可能重現。
